Uno de los “padres” del transistor; Shockley.

El 12 de agosto de 1989, fallecía el físico estadounidense William Bradford Shockley (13 de febrero de 1910 – 12 de agosto de 1989). Conjuntamente con John Bardeen y Walter Houser Brattain, obtuvo el premio Nobel de Física en 1956 “por sus investigaciones sobre semiconductores y el descubrimiento del Transistor.”

Shockley Shockley no fue a la escuela hasta que cumplió 8 años. R

En 1927 ingresó en la Universidad de California en Los Angeles, pero tras sólo 1 año  Shockley inició ngresó al prestigioso Instituto de Tecnología de California (Cal Tech), en Pasadena. Shockley terminó su licenciatura en física en 1932, Posteriormente ingresó en el Massachusetts Institute of Technology (MIT), donde inició sus estudios para la obtención de un doctorado (Ph.D.), cosa que consiguió en 1936 con su tesis “Calculation of Electron Wave Functions in Sodium Chloride Crystals.”

En 1936 ingresó en los laboratorios de Murray Hill, de la empresa Bell Telephone Company donde permanecería hasta 1956.

Durante la Segunda Guerra Mundial, Shockley abandonó temporalmente Laboratorios Bell para servir como director de investigación del Grupo Anti-Submarinos de Investigación de Operaciones de Guerra entre 1942 y 1944, y como asesor experto para la Oficina de la Secretaría de Guerra en 1944 y 1945.

Shockley regresó a Laboratorios Bell después de la Segunda Guerra Mundial, para continuar con su trabajo en física del estado sólido, con la esperanza de encontrar una alternativa a los tubos de vacío, Colaboró con John Bardeen y Walter Houser Brattain en la construcción de aparatos semiconductores que desplazaran a los tubos de vacío.

William Shockley y Walter Houser Brattain habían intentado construir un nuevo tipo de amplificador diferente a las válvulas termoiónicas, basándose en las investigaciones sobre semiconductores de Shockley. Lo intentaron con óxido de cobre sin éxito. Shockley en 1945, había desarrollado un primer amplificador con materiales semiconductores, pero su pequeño cilindro no llegó a funcionar correctamente. Pese a que muchos consideraban la idea una locura, Shockley decidió que lo único que había que hacer era saber por qué y en qué fallaba: esa sería la tarea de Bardeen y Brattain.

Bardeen logró construir junto con Brattain el dispositivo con germanio el 4 de julio de 1951, culminando así el desarrollo del transistor.

Con sus trabajos demostraron que los cristales de germanio eran mejores rectificadores que los utilizados hasta la fecha, dependiendo su efecto de la trazas de impurezas contenidas en los mismos. Mediante el empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que incluían una aguja en conexión con el cristal, el equipo inventó el transmisor de contacto puntual.

A pesar de esto, Shockley postulaba que el mérito debía ser únicamente suyo puesto que fue suya la idea original. Bardeen se enfadó mucho y Brattain le gritó: ¡Demonios, Shockley, en esto hay suficiente gloria para todos!.

La combinación de todos esos experimentos culminó, el 16 de diciembre de 1947, en el primer amplificador de punto de contacto.

Shockley2Finalmente el 23 de Diciembre de 1947 en Estados Unidos se presenta públicamente el transistor, que puede sustituir como amplificador a las válvulas de vacío.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.

Varios historiadores de la tecnología consideran al transistor como “el mayor invento del siglo XX”. Es el dispositivo electrónico básico que dio lugar a los circuitos integrados y demás elementos de la alta escala de integración.

Shockley y varios colegas de los laboratorios estudiaron el fenómeno de la corriente inversa en las uniones p-n, explicándolo según la teoría de Clarence M. Zener sobre la ruptura eléctrica en dieléctricos sólidos. La aplicación práctica de este fenómeno se materializó en un diodo semiconductor que Shockley bautizó como diodo Zener.

Shockley, que no había participado directamente en este descubrimiento, siguió en su propia línea de investigación y poco después puso a punto un nuevo transistor del tipo denominado de unión (junction transistor), que aparece por primera vez en su patente US2569347 publicada en 1951.

Siguiendo con sus investigaciones sobre el transistor, en 1951 inventó el transistor unipolar (unipolar junction transistor), del que obtuvo la patente US2744790 en 1956.

En 1955, Shockley abandonó los laboratorios Bell y regresó a su ciudad natal, Palo Alto, California, en las proximidades de la Universidad de Stanford, para crear su propia empresa, Shockley Semiconductors Laboratory, con el apoyo económico de Arnold Beckman, de Beckman Instruments. Fue la primera compañía de semiconductores que se instaló en lo que hoy es el Silicon Valley.

Beckman Instruments trato de convencer a varios trabajadores de Bell que se unieran a él en la nueva empresa; ninguno quiso. Por lo tanto empezó a rebuscar en las universidades a los más destacados estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado su estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la compañía en 1957 para formar la empresa Fairchild Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que más tarde crearían Intel.

Shockley3A partir de 1965 volvió a unirse a los laboratorios Bell como consultor y participó en el proyecto para el desarrollo de las memorias magnéticas de estos laboratorios.

A finales de los años 1960, Shockley realizó unas controvertidas declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban un factor genético en la capacidad intelectual revelando que los afro-estadounidenses eran inferiores a los estadounidenses caucásicos y que la mayor tasa de reproducción entre los primeros ejercía un efecto regresivo en la evolución.

Entre sus publicaciones destaca “Electrones y huecos en el semiconductor”, obra publicada en 1950.

Shockley murió el sábado 12 de agosto de 1989,  de cáncer de la próstata en su casa en el campus de Stanford a los 79 años de edad.

Anuncios

Publicado el 12 agosto, 2015 en Electrónica, Física. Añade a favoritos el enlace permanente. Deja un comentario.

Responder

Introduce tus datos o haz clic en un icono para iniciar sesión:

Logo de WordPress.com

Estás comentando usando tu cuenta de WordPress.com. Cerrar sesión / Cambiar )

Imagen de Twitter

Estás comentando usando tu cuenta de Twitter. Cerrar sesión / Cambiar )

Foto de Facebook

Estás comentando usando tu cuenta de Facebook. Cerrar sesión / Cambiar )

Google+ photo

Estás comentando usando tu cuenta de Google+. Cerrar sesión / Cambiar )

Conectando a %s

A %d blogueros les gusta esto: